功能描述：MOSFET N-CH 100V LFPAK56

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：69A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：86.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6139pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：195W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：14.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：1

PSMN015-110P

PSMN015-110P,127

PSMN015-110P127

PSMN015-60BS

PSMN015-60BS,118

PSMN015-60PS

PSMN015-60PS,127

PSMN016-100BS

PSMN016-100BS,118

PSMN016-100BS118